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超细碳化硅杂质含量

ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器

2016年11月26日基于高纯碳化硅粉表面的杂质量很低，本文采用 ICP-MS 法对高纯碳化硅粉表面的 Na 、 Al、 Ti、 V、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Ni、 Cu、 Zn、Cd 12 种痕量杂质进行测碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅(RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料.但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 百度学术

JC∕T 2149-2012 高纯碳化硅粉体成分分析方法 - 道客巴巴

2019年11月2日深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法星级： 7 页一步法合成高纯度碳化硅粉体的研究2019年10月10日本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的二次 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二 ...

超细碳化硅杂质含量

工业用碳化硅为人造碳化硅,SiC含量为95%~99.5%,常含少量的游离碳,以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。碳化硅按结晶类型可分为六方晶系(αSiC)和立方晶系(βSiC),六方晶系又因其结晶排列的周 2023年7月4日本文件适用于100mm4吋～00mm8吋碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。注：碳化硅晶片表面的金属元素含量以每平方厘米的 TCASAS 032—2023《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 ...

半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 ...

研究结果表明:水流分级得到SiC微纳米粉体纯度98.42%,中位粒径为0.404μm的微纳米粉体材料,比表面积由0.8879m~2/g提高到8.0321m~2/g,高能冲击磨得到碳化硅微纳米粉体纯度95.5%,中位 2019年11月22日本标准规定了用二次离子质谱仪测定半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的方法。本标准适用于半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的分半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱 ...

ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器 - 豆丁网

2013年12月25日基于高纯碳化硅粉表面的杂质量很低，本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12种痕量杂质进行测定，方法操作 2021年11月17日本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。实验结果表碳化硅中主要杂质元素的存在形式 - X-MOL

超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 豆丁网

2013年3月14日反应烧结碳化硅（RBSC）材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等，导致RBSC材料的性能不高。2013年12月25日 61《现代仪器》2011年第6期第17卷总97期分析测试摘要本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12种痕量杂质进行测定，用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质，用钇做内标补偿基体效应和仪器的 ...ICP-MS 法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质 - 现代仪器 - 豆丁网

碳化硅含量的测定方法 - 豆丁网

2011年3月22日一种碳化硅微粉粒度水分含量检测方法一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法一种半导体悬臂桨产品的碳化硅含量提纯、提升方法一种基于高固含量碳化硅浆料的分离膜的制备方法 (材料学专业论文)二次离子质谱分析碳化硅中钒杂质含量的研究(5)以制备的改性超细SiC粉体为原料,进行注浆成型.通过浆料粘度和素坯密度,综合对比四种改性超细SiC粉体的分散性.在p H值为9时,由固相含量为55 vol%,粘度为142.3 m Pas的KH550-PSS-SiC浆料制备的素坯具有最大密度2.2549 g/cm3.在四种改性超细SiC粉体中超细碳化硅粉体表面改性及重结晶碳化硅陶瓷注浆成型研究 ...

碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉制备方法常见问题解答山东金 ...

2022年9月7日另外，合成的粉体为纳米级的超细粉体，不易收集，同时合成速率较低，目前无法用于生产大批量的高纯SiC粉体。 2.等离子体法等离子体法是将反应气体通入由射频电源激发的等离子体容器中，气体在高速电子的碰撞下相互反应，最后得到高纯的SiC粉体。2010年11月23日超细碳化硅杂质含量大型矿石加工设备厂家咨询详细超细碳化硅杂质含量在线咨询 2012年1月5日物理方法是使用X射线荧光光谱法检测碳化硅杂质含量的方法来确定碳化硅微粉中碳化硅含量。快速,方便、简洁的优 ...超细碳化硅杂质含量

超细碳化硅杂质含量

目前,采用我国生产的超细重结晶碳化硅粉体制备的浆料没有达到国外先进水平,因此需要对粉体进行表面改性从而提高其固相含量,降低粘度。本文选用预处理的聚丙烯酸、嵌段共聚物HY2000和HY168、聚丙77 YS/T 英文版高纯锆化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法 78 YS/T 英文版碳化硅 ...2021年12月4日现如今碳化硅微粉的生产大多采用将碳热还原法合成的块状碳化硅，经粗破、磨粉等工序生产而成，在生产过程中由于原料的不完全反应以及加工设备和外界环境的影响，使得加工成的碳化硅微粉存在游离的碳、石墨、及Fe、Al等金属单质及其氧化物等很多杂质。每公斤2000~12000 元？这种碳化硅堪称“万金之躯”！-要闻 ...

CN103466624B - 一种超细β碳化硅及其制备方法 - Google ...

2013年9月2日本发明公开了一种超细β碳化硅的制备方法，包括（1）混合样品；（2）高温反应；（3）煅烧除炭；（4）酸碱洗除杂四个步骤，其工艺步骤简单，操作方便，所制备的超细β碳化硅粒径为3μm左右，成本低、无α相碳化硅、杂质含量低、粒度分布均匀，β碳化硅含量在98%以上。2020年8月21日采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济，原料来源广泛且价格较低，易于工业化生产，然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高，质量较低;高温自蔓延方法是利用高温给予反应物初始热开始发生化学反应，然后利用自身的化高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学

一种超细高纯碳化硅粉末的制备方法与流程

2023年12月15日 1.本发明涉及超细粉末生产技术领域，具体涉及一种超细高纯碳化硅粉末的制备方法。背景技术： 2.碳化硅由于其较高的机械强度、硬度、导热性、以及优良的抗腐蚀性、抗热震性、半导体性能等优点，是许多工业环境中应用最广泛的非氧化物陶瓷材料，其应用包括独立的组装部件，以及在薄层沉积 ...2021年1月29日无压烧结碳化硅陶瓷（常压烧结碳化硅陶瓷）是以高纯、超细碳化硅微粉为原料，加入少量的烧结助剂，如硼、碳等，在大气压的惰性气体或真空气氛中，碳化硅晶舟（SIC BOAT）、陶瓷晶舟，西安中威（ZHWE）24碳化硅晶舟（SIC BOAT）如何做到99.99%的高纯度？

制备超细镍粉的研究进展

2005年6月23日猛发展，市场对超细镍粉的需求不断增长(据统计，世界对镍氢电池的需求年均增长)*C，超细镍粉的市场前景十分看好，因此超细镍粉的制备正日益受到人们的重视(由于纳米金属粉末的制备涉及到物理、化学及材料等学科，所以对制备方法的分类目前有许多不2013年9月2日本发明公开了一种超细β碳化硅的制备方法，包括（1）混合样品；（2）高温反应；（3）煅烧除炭；（4）酸碱洗除杂四个步骤，其工艺步骤简单，操作方便，所制备的超细β碳化硅粒径为3μm左右，成本低、无α相碳化硅、杂质含量低、粒度分布均匀，β碳化硅含量在98%以上。CN103466624A - 一种超细β碳化硅及其制备方法 - Google ...

一种降低碳化硅单晶中氮杂质含量的方法 [发明专利]_百度文库

2018年6月5日一种降低碳化硅单晶中氮杂质含量的方法[发明专利]-发明内容 [0004] 针对PVT方法生长SiC存在的氮含量高的问题，本发明提供一种降低碳化硅单晶中氮杂质的方法，将高温时能与氮元素反应的特种元素与SiC粉体原料充分混合，置于石墨坩埚底部 ...2023年12月30日一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法.pdf 2023-12-30 上传暂无简介文档格式：.pdf 文档大小： 362.47K 文档页数： 7 页顶 /踩数： 0 / 0 收藏人数： 0 评论次数： 0 文档热度：文档分类：行业资料 ...一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法 - 豆丁网

超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究 - 百度学术

摘要：碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔点,高硬度,耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一.反应烧结碳化硅(RBSC)材料可以作为密封件,热交换器件和喷嘴等材料.但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高,粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC材料的性能不高.超细SiC微粉是一种化学组成 ...2023年11月23日可以说表面改性是一种获得高固相含量、低黏度陶瓷料浆的有效途径。对碳化硅粉体进行表面改性，可以改善超细粉体颗粒在液相中的分散性、稳定性与高聚物相容性等性能，提高其表面活性，使其能够符合不同应用领域的要求。「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展

一种超细碳化硅粉末的制备方法与流程

2023年12月20日 1、本发明要解决的是现有技术中工业化生产超细碳化硅粉末时，连续化生产困难、综合得率不高、产品杂质含量高、工况维护成本高等问题，提供了一种基于等离子体热合成工艺的超细碳化硅粉末的制备方法。2、本发明的一个技术解决方案是 ...2020年7月20日白万杰利用直流电弧等离子体为热源，加热蒸发CH3SiCl3，CH3SiCl3会先发生分解反应，然后得到的中间产物会生成碳化硅。生成的碳化硅会在很短的时间内晶粒长大、冷却、气固分离而得到纯度高，粒度分布均匀，粒径超细(0.08μm~0.5μm；)可调的纳米级SiC碳化硅的制备方法

碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate

2022年5月20日生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制 ... 的超细碳化硅(SiC)粉体，且均为β-SiC ...2019年9月2日中国粉体网讯碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能，是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定 ...9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标

超细碳化硅微粉的制备及反应烧结碳化硅性能的研究-学位-万方 ...

碳化硅(SiC)陶瓷具有高熔点、高硬度、耐磨损和强度高等优点,是重要的高温结构材料之一。反应烧结碳化硅(RBSC)材料可以作为密封件、热交换器件和喷嘴等材料。但是由于普通RBSC陶瓷的原料杂质含量高、粒径分布宽及成型工艺和烧结工艺的多样化等,导致RBSC材料的性能不高。合成碳化硅时，固态碳与气态SiO按前式反应起决定性作用。 SiC的进一步生成过程主要是通过SiC产物层的扩散所限制。 SiC固溶有少量的杂质。其中, 杂质含量少的呈绿色,被称为绿色碳化硅;杂质含量多的呈黑色, 被称为黑色碳化硅。张波—碳化硅分解 - 百度文库

一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法与流程 - X ...

2022年6月29日 1.本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体是一种低氧含量超细非晶碳化硅纳米颗粒的制备方法。背景技术： 2.碳化硅是一种重要的半导体陶瓷材料，具有优异的热、力、光、电等特性，可用于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。碳化硅根据其结构的有序性可分为晶体碳化硅和非晶体碳化硅，相比于 ...2022年11月12日 1.本发明涉及碳化硅粉处理备方法，尤其是涉及一种超细碳化硅粉的提纯方法。背景技术： 2.工业碳化硅的制备方法以碳热还原法为主，是在电阻炉中将石英砂和焦碳的混合物加热到 2000℃左右的高温使其发生电热化学反应，使得石英砂中sio2被 c 还原制得 sic块状晶体。一种超细碳化硅粉的提纯方法 - X技术网

无压烧结碳化硅辊棒--1900℃，0金属杂质

2021年1月30日无压烧结碳化硅辊棒，常压烧结碳化硅陶瓷制品在成型过程中压力为250MPa，保压时间为90s；粘结剂用量为物料总质量的3%；含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结，烧结过程主要由扩散机2024年9月6日 16、本发明提出的一种低硼含量反应烧结碳化硅的装炉方法，与现有技术相比，本发明没有在硅颗粒表面引入bn等含b的细粉，也没有在承烧部件表面使用bn等含b的涂层，避免了与坯体接触的硅颗粒和承烧部件引入含b物质的可能，坯体烧结后所得rb-sic材料中b一种低硼含量反应烧结碳化硅的装炉方法与流程 - X技术网

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