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碳化硅衬底

盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑）

2023年11月29日按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底两类，这两类衬底经外延生长后主要用于制造功率器件、射频器件等分立器件。2023年2月21日电动汽车行业对导电型碳化硅衬底需求空间巨大，目前特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等新能源车企已经计划使用碳化硅分立器件或模块。半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天等领域。碳化硅衬底：半导体芯片的底层材料 - 知乎

第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链 ...

2024年8月15日碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件，具备广泛应用于5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车及充电桩、大在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。国内SiC碳化硅衬底20强 - 艾邦半导体网

半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； - 知乎专栏

2024年2月1日经过单晶生长获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。3 天之前相关报告天岳先进研究报告：国内领先的碳化硅衬底龙头.pdf 天岳先进研究报告：车规级衬底批量供给行业领先，产能释放持续增强盈利能力.pdf 天岳先进研究报告：四大核心竞争力护航，本土碳化硅衬底龙头开启扩张新征程.pdf 天岳先进研究报告：800V的SiC密集上车，产能完成调整业绩现拐点.pdf2024年天岳先进研究报告：国内领先的碳化硅衬底龙头

顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术详解

2 天之前碳化硅衬底切割技术是将SiC晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。在碳化硅器件成本中，衬底占比47%左右，是价值量最高的原材料。2024年3月15日碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。它是通过沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光得到的，具有特定的晶面和适当的电学、光学和机械特性，通常用于生长外延层的洁净单晶圆薄片。 2、碳化硅衬底的生产工艺流程. 碳化硅衬底生产是行业发展的关键环 2023年全球及中国碳化硅衬底行业现状及发展趋势分析 ...

碳化硅衬底制备的重点与难点 - 艾邦半导体网

3 天之前根据东尼电子公告披露数据，2023年向客户交付6英寸碳化硅衬底单价为5,000元/片，2024年MOS衬底价格为4750RMB/片，2025年MOS衬底价格为4510RMB/片；2024年SBD衬底价格为4275RMB/片，2025年SBD衬底价格为4060RMB/片。目前国内主要的碳化硅衬底供应商有天岳先进、天科合达、烁科晶体、露笑科技、东尼电子、河北同光等，其中三安光电走IDM路线，涉及衬底、外延、芯片、封装等产业环节，其他部分厂商还涉及自研单晶炉设备，以及外延片等产品。天岳先进成立于2010年，专注于碳化硅衬底产品并具备外延、碳化硅单晶生长炉的能力，其技术最初来源于山东大学的研究团队。根据Yole的数据 2023年国内主要碳化硅衬底供应商产能现状 - 观察者网风闻社区

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第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链 ...

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